1、、媒介

金属钽于1802年由瑞典化学家A．G．Ekeberg发现，，，1922年在美国扇钢公司进行工业化规模出产。。

钽和钽合金拥有高密度、、高熔点、、耐蚀、、优异的高温强度、、优良的加工性、、可焊性及低的塑，，，脆转变温度、、优异的动态力学机能及经氧化处置后理论形成致密、、不变、、高介电常数的无定形氧化膜等特点而被宽泛利用于电子、、化工、、航空航天、、兵器等领域。。在钽及钽合金材钻研方面，，，美、、俄等国的钻研较为深人，，，重要涉及合金密度、、动态力学机能、、抗氧化、、抗侵蚀和高温蠕变等方面的内容。。20世纪50～70年代，，，美、、苏间军备竞争大大推进了钽及钽合金的发展，，，特另叱垦菇亥动力系钐艺用Ta—W、、Ta—W—Hf、、Ta—W—Hf-Re—C等系列合金[1]。。70年代后，，，由于美、、苏财政严重等原因，，，钽及钽合金的钻研措施放慢，，，但中国加快了在此领域的钻研措施。。80年代后期至今，，，美、、俄等国钽及钽合金的钻研又逐步活跃起来，，，重要蕴含抗氧化的Ta—Ti合金121、、兵器系统用Ta和Ta—W合金。。

2、、钽工业的发展及利用

20世纪90年代以来，，，全球钽市场需要持续稳步增长，，，至2000年达汗青最顶峰的2858 t(以Ta2O5计)。。2001年至2002上半年由于全球经济低迷，，，IT业投资削减，，，造玉成球钽需要量锐减，，，给钽工业的发展带来巨大的冲击，，，2002年下半年情况有所好转。。

凭据国际钽铌钻研中心统计数据，，，2002年全球钽利用及相应份额见表1。。随着电子行业和世界高科技技术的发展，，，预计2003年一2004年全球钽需要量将逐步复原至正常水平。。2003年前3个季度Gwalia家族公司钽销售量为780 t，，，整年达到1130 t，，，2006年至2250 t。。今后5～10年，，，全球钽工业预计将以12％以上的增幅持续发展。。

2.1 电子工业用钽

金属钽重要利用于电子工业，，，全球约有60％～65％的钽用于钽电容器。。钽电容器体积小，，，容量大，，，靠得住性高，，，寿命长，，，耐压机能好，，，职能不变，，，且能在其他电容器如铌电容器、、陶瓷电容器不能满足的刻薄前提下正常工作，，，因而其在通讯、、推算机集成电路、、汽车电子节制系统、、数码电器等方面得到了极为宽泛的利用。。近年来世界钽电容器的发展以每年约20％的速度递增，，，固然2001年至2002年上半年受到经济低潮冲击，，，但随着世界经济的复苏，，，预计今后仍会以约15％冈的速度增长，，，这就为钽工业的发展提供了平台。。据Roskill报道，，，钽电容器在汽车发起机节制系统和安全囊系统中的利用会在不久的将来得到急剧发展。。铌电容器的发展也很迅速，，，但由于铌电容器的极限工作温度较低(不超过105 oC)，，，漏电率为钽电容器的5倍一10倍，，，故目前铌电容器对钽电容器还构不成市场威胁。。

选取铝合金作衔接件资料的集成电路和逻辑半导体设备已不再适应设备小型化的发展要求。。目前先进的高速推算设备，，，如微处置器和数字信号处置器要求衔接件资料必须能传输高电流密度且电阻率尽可能小。。固然金属Cu拥有很多优异的电机能等而成为首选资料，，，但Cu与si的互扩散系数较大，，，对电路系统很不利。。Ta和Ta的化合物由于拥有热不变性、、在Cu和Si中拥有扩散系数均很小，，，热导率大、、粘接性好等优异机能而成为梦想的扩散隔层资料㈨。。据半导体工业协会预测，，，随着微处置器的宽泛利用，，，Ta在这方面的需要将急剧增长。。这可能为钽启发了一个较大的利用领域。。P．J．Ding和Tomi Laurila等具体钻研Ta，，，TaC，，，Ta2N，，，TaN等各类隔层资料。。芬兰赫尔辛基理工大学的Tomi Laurila博士等也具体钻研了Ta，，，TaC，，，Ta2N等扩散隔层在Cu和Si中的不变性及氧元素对Cu／Ta／Si反映的影响。。钻研了局批注，，，肯定厚度的Ta，，，TaC，，，Ta2N，，，TaN薄膜等均能成为Cu和Si之间不变的扩散隔层，，，从而实现阻隔职能。。

2.2 高温合金用钽

钽在高温合金中的利用也日渐增长。。目前国外机能较好的航空发起机叶片大部门由Ni基超合金单晶制成，，，且合金中钽成分的比例越来越大。。美国橡树岭国度尝试室和田纳西州大学正在钻研一系列地面基和航空发起机用高温抗氧化Cr—Cr2Ta合金[7~10]。。选取定向凝固技术可制得均匀层状的Cr-Cr2Ta合金(图1)。。该合金中Ta和Cr形成的Cr2Ta Laves相弥散于cr基体中，，，改善了合金的高温强度和室温断裂韧性。。这是由于层状结构使裂纹难以扩大，，，进而使其偏析、、分叉并产生剪切筋，，，从而提高了资料的室温

断裂韧性。。这类合金的钻研成功将提高燃气涡轮机的热效能，，，并将宽泛利用于叶片、、密封件和喷嘴等。。

此外，，，还可用于燃气清洁系统部件(如热气过滤器)、、油、、气井的钻优等。。

2.3 兵器系统用钽

钽和钽合金拥有高的动态断裂机能和高密度、、适中的声速及纵火等良好的综合个性使其成为梦想的破甲弹、、爆炸成形弹药型罩资料。。美国等西方国度早在20世纪80年代后期就起头钻研钽及钽合金等作为药罩资料的可能性，，，并获得较大功效，，，如美制TOW一2B、、TOW—NG导弹等就设备了钽药型罩。。弹道

试验批注，，，Ta的侵彻机能较Cu高30％一35％[11]。。如：：在一样质量、、一样长细比(UD=-4)弹丸速度为2000m／s时，，，Ta制弹丸对RHA(轧制均质装甲钢)的侵彻深度为160 mm，，，而cu的仅为123 mm。。目前，，，钽药型罩资料的钻研重要集中在改进加工工艺，，，节约成本，，，提高弹头的侵彻机能。。

美国陆军设备研发工程中心(ARDEC)和特克斯特朗系统公司目前选取P/M法研制爆炸成形弹钽药型罩，，，获得了显著的功效陋Ⅲ。。这种钽药型罩重要利用于美制SADARM、、STAFF和WAM、、德制SMART、、瑞典制BONUS等的爆炸成形弹。。

选取H．C．Starck公司的高纯钽粉(氧含量不大于0．025％)经等静压压抑，，，烧结后挤压加工成坯料，，，再经中央退火处置，，，旋锻制得钽药型罩。。

资料的力学行为钻研批注，，，这种粉末烧结、、挤压、、旋锻的钽罩的力学行为与弥散强化的钽合金罩相一致。。其流变应力与其晶粒尺寸有关，，，而与资料的含氧量无关。。其流变硬化也对资料的含氧量不敏感，，，且与晶粒巨细无关。。在从准静态到动态应变速度领域内，，，旋锻的钽罩的应变硬化水平减弱。。弹道试验批注，，，烧结、、挤压、、旋锻成形的钽罩成功地制成了拥有要求状态优良的爆炸成形弹弹丸。。

在将来10年内，，，美国对钽药型罩资料的钻研将重要集中在一方面改进加工技术，，，如电子束沉积、、电铸技术，，，并结合先进的电子背散射衍射分析技术，，，改善药型罩资料的组织，，，另一方面降低成本，，，以实现钽药型罩资料的大规模实用。。

别的，，，与铬相比，，，α相钽的熔点高，，，热导率低，，，且耐烧蚀，，，延性好。。固然钽的价值较高，，，但火炮管内理论靠近20000C的高温大大降低了炮管镀铬层的寿命，，，而钽的熔点高达2996℃，，，选取镀钽身管，，，其寿命将提高8倍以上。。美国太平洋西北尝试室(PNNL)和陆军贝内特尝试室(Benet Labs．)钻研了炮管溅射沉积钽的技术，，，筹备用镀钽身管代替目前大口径火炮的镀铬身管(120mm坦克炮管和150mm曲射榴弹火炮管)05～161。。钻研批注，，，圆筒试样基体温度为200℃～300℃，，，使用氪和氤作为溅射气体，，，有助于在4340钢圆筒基体内壁上形成致密的d相钽涂层；；；用氪和氙气作溅射气体拥有较高的溅射效能和较快的沉积水平，，，部门赔偿了在炮膛内制作厚钽涂层所需的较高用度；；；使用氪作溅射气体时，，，4340钢圆筒基体的温度超过2000C，，，能力产生拥有100％体心立方晶格Ot相的钽涂层。。而使用最通常的氩气作为溅射气体，，，在200℃基体温度下，，，则产生了含β和α相的钽涂层，，，这对涂层的致密性是很不利的。。今后将持续钻研使用通常氩气作为溅射气体时产生拥有100％体心立方晶格α相的钽涂层的工艺技术。。

3、、结语

钽及钽合金优异的综合机能使其宽泛利用于电子、、化工、、兵器等行业。。固然钽工业经历2001年至2002年上半年的经济低潮期，，，但2003年。。2004年将复原发展。。今后5~10年，，，全球钽工业预计将以12％以上的增幅持续发展。。随着钽电容器的迅速发展，，，电容器对钽的需要将大幅增长。。集成电路中铜代替铝作为衔接件资料，，，为钽启发了一个较大的新利用领域。。高温合金的急剧发展，，，使钽在高温合金中的利用日益增长。。钽及钽合金优异的动态机能亦加快了其在兵器中的利用和发展。。

参考文件：：

【1】DalderENC，，，Grobstein T，，，Olsen CS．EvolutionofRefractory Metals and Alloys[M】．TMS，，，1994，，，49

【2】Buckman RW．JOM[J]．2000，，，(3)：：40

【3】 何季麟．罕见金属闭．2003，，，27(1)：：23

【4】 SawamuraI，，，Irumata S．TICO]，，，2003，，，l 14：：2

【5】Laurila T，，，Zeng K，，，MolariusJ et 81．MicroeleetronicsEngineering[J】，，，2001，，，60：：71

【6】Lim JW，，，Ishikawa Y，，，Miyake K．Materials Transactions田．2002，，，43(3)：：478

【7】C．L．Briant．．Proceedings of the15’International PlanseeSeminar[C],Reutte,2001，，，1：：389

【8】Wang DF'Liaw PK,LiuCT et a1．16#Annual Conferenceon FossilEnergy Materials[C】，，，TN，，，2002，，，4

【9】He YH，，，Lu Y，，，Wang DFet a1．154 Annual Conferenceon Fossil Energy Materials[C]，，，TN，，，2001，，，4

【10】Brady MP，，，Zhu JH，，，Liu CT et a1．13。。Annual Confer ence on Fossil Energy Materials[C],TN，，，1999A

【11】王兵．国外刀兵动态【J】，，，1996，，，(3)：：6

【12】Kumar P’Uhlenhut H Proceedings of the 15’International Hansee Seminar[C]，，，Reuae，，，2001，，，1：：449

【13】Chen E，，，Crowson A，，，Lavemia E et a1．Tantalum[M]．TMS．1996，，，73

【14】Fong R，，，William Ng，，，Tang Set a1．23。。Army ScienceConference[C]．USA，，，Florida，，，2002，，，12

【15】ARCCE—TR一00014(USA 2000)[16]ARCCE—TR一01019(USA 2001)